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<iframe src="https://ndatasheet.com/datasheet-frame/300/SP2658E" width="300" height="250" frameborder="0" marginwidth="0" marginheight="0" scrolling="no"></iframe> |
Datasheet Info |
主要特点 集成 650V MOSFET 支持反激和降压型拓扑应用 ±4%恒流、恒压精度 待机功耗<70mW 多模式原边� |